MJE13005 ekv BUT44 n kanálL 400V 4A použito v elektr.předřadníkách typ D13005

MJE13003 NPN, 400V, 1,5A, 40W, TO123 tranzistor

Vhodný typ pro impulzní měniče v osvětlovací technice a alternativní náhrada 13003BR, EB13003, EN13003, nebo MJE13001 a MJE13002. Pro více informací - viz odpovídající datové listy. Typ NPN Provedení TO126 Napětí (Vce, Vds) 400 V Proud 1,50 A Výkon P_max 40,0 W

MJ802G 90V 30A NPN bipolární Semikonduktor

Tranzistor NPN; bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 90V; max. proud Kolektoru 30A; max. ztrátový výkon 200W; kmitočet 2MHz; zesílení až 100; pouzdro TO3; THT montáž / přišroubováním; pracovní teplota -55÷150°C.

MJ802 100V 30A 200W 2Mhz bipolární výkonový tranzistor TO3 / možno nahradit za 2N3055 125W/

Popis TRANSISTOR, NPN, TO-3 Transistor Polarity:N Channel Collector Emitter Voltage V(br)ceo:90V Gain Bandwidth ft Typ:2MHz Power Dissipation Pd:200W DC Collector Current:30A DC Current Gain hFE:100 Transistor Case Style:TO-3 No. of Pins:2 SVHC:No SVHC (18-Jun-2010) Collector Emitter...

MJ4035 NPN, 100V, 16A, 150W tranzistor

MJ4032 PNP, 100V, 16A, 150W tranzistor

MJ15024 NPN, 250V, 16A, 250W, TO3 tranzistor

MJ15023, PNP, 350/200V, 16A, 250W, TO3 tranzistor

MJ15022 NPN, bipolární, 200V, 16A, 250W, TO3 tranzistor

MJ15016, PNP, 120V, 15A, 180W, TO-3 tranzistor

MJ15015 NPN, 120V, 15A, 180W, TO3 tranzistor

MJ15004G PNP, 140V, 20A, 250W, TO3 tranzistor

Index G za označením není na závadu a značí bezolovnaté provedení

MJ15003 NPN, 140V, 20A, 250W, TO3 Motorola tranzistor

tč.skladem 5 ks-orig Motorola aktualisováno.

MJ15003 NPN 140V 20A 200W 3Mhz, Motorola -event.kvalitnější viz KD503 Tesla

NPN 140V 20A 200W 3Mhz

MJ11016 NPN, 120V, 30A, 200W tranzistor

MJ11015G PNP 120V 30A 200W tranzistor

MJ11015 PNP 120V 30A 200W tranzistor

IXGR48NC3D1 tranz. 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247 Mosfet

tranzist TIP33C 140V 10A 80W NPN

tranzist TIP33A 100V 10A 80W NPN

TIP48 c-mos 100V 1A 40W

Popis Parametry Dokumentace Bipolární NPN tranzistor - Ic = 1 A, Pd = 40 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 1 A Uce0 = 300 V, Ucb0 = 400 V, Pd = 40 W, h21E = 10..30, fT = 10 MHz, Pouzdro = TO220

TIP41C 6A NPN ,NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

NPN NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

TIP34C Bipolární PNP tranzistor - Ic = 10 A, Pd = 80 W, pouzdro TO3PN

TIP33A 100V 10A 80W

TO 220

TIP32C PNP 100V 3A bipolární TO220 40W TIP32C

PNP NF-P 115V/ 3,0A/ 40W/ >3MHz TO220 B

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220TIP147T - Bipolární (BJT) , ,hFE

ilustrační foto

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220

TIP147 PNP 100V 10A Darlington TO247

Ic = 10 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 125 W, h21E = 1000..15000, fT = - MHz, Pouzdro = TO247

TIP142T PNP 10A 125W 100V Darlington SGS Thompson TO 220

TIP127 100V 5A 65W Darlington = BD650 100V 8A

TIP122 100V 5A darlington

Popis Parametry Darlingtonův tranzistor NPN - Ic = 5 A, Pd = 65 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 5 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 65 W, h21E = 1000, fT = - MHz, Pouzdro = TO220

TIP120 (SE120) NPN 5A 65W 60V Darlington

TIC42C PNP NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

PNP NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

P10NK60Z ( BUZ 91A) N-kanál MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

KT922B 2N5642 NPN 20W 28V Gold USSR

KT911V NPN výst.výkon 1W při 1,8Ghz

Tranzistory KT911V křemíkový epitaxiální-planární struktury n-p-n generátor. Určeno pro použití v výkonových zesilovačích, frekvenčních multiplikátorech a autogenerátorech při frekvencích nad 400 MHz při napájecím napětí 28 V. Vyrábí se v kovoplastovém pouzdře s páskovými svorkami a montážním...