MJE18008 NPN, 450V, 8A, 125W, TO220 tranzistor

MJE243 NPN, 4A, 100V, bipolární tranzistor

MJE253

MJE2955T PNP, 70V, 10A, 90W, TO220 tranzistor

MJE3055T NPN, 70V, 10A, 90W, TO220 tranzistor

MJE350 PNP, 300V ,0.5A, 20W, 10MHz tranzistor, 1ks skladem

MP35 (2N444, 2N444A, 2SD31) Germanium N-P-N Sovětský tranzistor NOS, doprodáno

MP37B МП37Б~T322N, 2SD37, 2SD75A) Tranzistor Germanium NPN 30v 0,15w 1mHZ MilitaryUSSR

MPSA42 NPN, 300V, 500mA, 625mW, TO92 tranzistor bipolární

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 300 V, Ucb0 = 300 V, Pd = 0,625 W, h21E = 40..110, fT = 50 MHz, Pouzdro = TO92

MPSA44 NPN 400V 0,3A TO92 ·Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,3 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 : Ic = 0,3 A Uce0 = 400 V,

Bipolární tranzistor MPSA44 TO92 · YANGZHOU ARK Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,3 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,3 A Uce0 = 400 V, možno použít MPSA42 - 300v 0,5A NPN SKLADEM nebo BF422 250V 0,1A NPN

MPSA92 PNP, 300V, 500mA, 625mW, TO92 tranzistor

NCP120 Rezet-monitor 1 kamery Supervizor, Reset při Aktivní-Nízké, 1V-5.5Vin, TO-92-3

PCF84C81P/047 procesor TXT OTF

2T908A Rusian Si NPN tranzistor 50W 10A 30MHz ~ 2N2813, 2N5315, 2N5317

AC1695/C4458 PNP/NPN 100w ekv 2SB 691 PNP/ 2SD727 NPN

KT907B NPN 300mHZ 4w UCB 60v ekv 2N4440, 2SC543

KT908A/2N2316 NPN 60-100V 10A USSR

KT909A = 2N5177 NPN křemík SSSR 350 Mhz max IC 2A

Polarita: NPN Maximální rozptyl výkonu kolektoru (ks): 27 W Maximální napětí kolektoru a | Vcb|: 60 V Maximální napětí mezi emitorem a | Veb|: 3,5 V Maximální aktuální hodnota | Ic max|: 2 A Max. Provozní teplota křižovatky (Tj): 120 °C Přechodová frekvence (ft): 350 MHz Kapacita kolektoru...

KT909G PT6670 NPN 500 Mhz 54W 60V max 4A zlacené vývody

KT911G NPN 1Ghz 3W 2SC 976 gold

KT911V NPN výst.výkon 1W při 1,8Ghz

Tranzistory KT911V křemíkový epitaxiální-planární struktury n-p-n generátor. Určeno pro použití v výkonových zesilovačích, frekvenčních multiplikátorech a autogenerátorech při frekvencích nad 400 MHz při napájecím napětí 28 V. Vyrábí se v kovoplastovém pouzdře s páskovými svorkami a montážním...

KT922B 2N5642 NPN 20W 28V Gold USSR

P10NK60Z ( BUZ 91A) N-kanál MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

TIC42C PNP NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

PNP NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

TIP120 (SE120) NPN 5A 65W 60V Darlington

TIP122 100V 5A darlington

Popis Parametry Darlingtonův tranzistor NPN - Ic = 5 A, Pd = 65 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 5 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 65 W, h21E = 1000, fT = - MHz, Pouzdro = TO220

TIP127 100V 5A 65W Darlington = BD650 100V 8A

TIP142T PNP 10A 125W 100V Darlington SGS Thompson TO 220

TIP147 PNP 100V 10A Darlington TO247

Ic = 10 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 125 W, h21E = 1000..15000, fT = - MHz, Pouzdro = TO247

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220TIP147T - Bipolární (BJT) , ,hFE

ilustrační foto

TIP32C PNP 100V 3A bipolární TO220 40W TIP32C

PNP NF-P 115V/ 3,0A/ 40W/ >3MHz TO220 B

TIP33A 100V 10A 80W

TO 220

TIP34C Bipolární PNP tranzistor - Ic = 10 A, Pd = 80 W, pouzdro TO3PN

TIP41C 6A NPN ,NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

NPN NF-P 115V/ 6A/ 65W/ >3MHz TO220 B C E C 17j

TIP48 c-mos 100V 1A 40W

Popis Parametry Dokumentace Bipolární NPN tranzistor - Ic = 1 A, Pd = 40 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 1 A Uce0 = 300 V, Ucb0 = 400 V, Pd = 40 W, h21E = 10..30, fT = 10 MHz, Pouzdro = TO220