2SK1507 NPN 600V 9A 50W

2SK170 označen K170: unipolární,N-MOSFET; 40V; 20mA; 400mW; TO92 poslední 8ks

2SK1767 NPN 600V 3,5A 40W

2SK2038 N-FET 800V 5A Toschiba

2SK2545

2SK2750 tranzistorekv IRFB30C Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W, TO220F IRFB30C

2SK301

2SK30A N-FET 50V 10mA 0,1W

2SK3111 mosfet N-kanál 200V 65W

2SK3566 (STA4,Q,M) - Výkonový MOSFET, N Kanál, 2.5 A, 900 V, 6.4 ohm, 10 V, 4 V

ilustrační foto

2SK727

CA3083 Bipolar (BJT) Transistor 5x NPN 15V 100mA 450MHz 500mW 16-PDIP

IRBC30 tranzistor ekv 2SK2750 Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W,1.7R TO220F IRFB30C

SC237e-RFT 45V 0,1A NPN ekv,: BC237,KC237,KC147

SC237E-BC237 KC147 Kategorie Tranzistory > Bipolární > NPN RFT Puzdro TO-92S Parametry IC = 100 mA, PD = 200 mW, fT = 170 MHz Datasheet Link

tranzistor 2N3055 ekv MJ2955 NPN 15A 100V

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 15 A, Pd = 115 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 15 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 115 W, h21E = 20..70, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO3

trnazist 2SA1390 PNP 300mW 0,5A 35V Hitaschi ,bipolární

Part No. 2SA1390 Maker HITACHI [Hitachi Semiconductor] Collector to base voltage VCBO –35 V Collector to emitter voltage VCEO –35 V Emitter to base voltage VEBO –4 V Collector current IC –500 mA Collector power dissipation PC 300 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg –55...

BC107A npn 45V 0,2A bipolární

NPN Polarizace bipolární Napětí kolektor-emitor 45V proud kolektoru 0.2A Ztrátový výkon0.2/0.75W pouzdro TO18 montáž THT F 150Mhz bipolární proud kolektoru 0,2A NPN pouzdro t018 Zesílení tranzistoru 110...220 Šumové číslo 10dB

BC107B NPN; bipolární; 45V; 0,2A; 0,2/0,75W; TO18; 10dB

BC108A BC108C (4ks) 25V 0,2A NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors. uveďte do poznámky typ

BC108A 50ks, BC108C 4ks BC108 jsou 25 V křemíkové NPN bipolární planární epitaxiální tranzistory pro všeobecné zesilovače nebo spínače.

BC109C Bipolární (BJT) ranzistor, Nízký Šum, NPN, 25 V, 200 mA, 600 mW, TO-18,

v PROEDENÍ i BC109B 60ks, uveďte event do pozncena 17,-Kč BCP 109C ,B NPN silicon planar-epitaxial transistor cena 19,-Kč BCP 108C

BC141 NPN 100V 1A

BC141-16 NPN 100V 1A

BC143 PNP 60V 1A

BC157 PNP 45V 100mA

BC158 PNP 30V 100mA

BC159 PNP 20V 100mA

BC161 PNP 60V 1A

BC177 PNP 45V 100mA

BC178 PNP 30V 100mA bipolární

BC178A PNP silikon bipolar 30V 0,1A

BC179, BC179B PNP 20V 100mA

BC179 100KS, BC179B 140ks

BC183B NPN 45V 200mA

BC184C NPN 45V 200mA skladem 13ks

BC204B PNP 45V 100mA

BC211 NPN 40V 1A

BC237 45V 0,1A NPN RFT ekv. SC237.KC237,KC147

SC237E-BC237 KC147 Kategorie Tranzistory > Bipolární > NPN RFT Puzdro TO-92S Parametry IC = 100 mA, PD = 200 mW, fT = 170 MHz Datasheet Link

BC238 NPN 20V 100mA

BC239B NPN 30V 100mA

BC307A PNP 50V 100mA

BC313 PNP 40V 1A

BC327-16 PNP 45V 800mA

BC327-25 PNP 45V 800mA

BC327-40 PNP 45V 800mA

BC337-16 NPN, THT, 45V, 0,5A, 0,625W, TO92 bipolární tranz

BC337-25 NPN 45V 800mA

BC337-40 NPN 45V 800mA

BC337, BC637, BC639

BC338-25 NPN 25V 800mA

BC338-40 NPN 25V 800mA

BC377-7 NPN 45V 1A

BC413B NPN 45V 100mA

BC489 NPN 80V 1A

BC516 PNP 30V 400mA

BC517 NPN 30V 400mA

BC527 PNP 60V 1A

BC546B NPN 65V 100mA

BC546C NPN 0,1a 65v BIpolar

BC546C NPN 0,1a 65v BIpolar

BC547 NPN 45V 100mA

BC547B NPN 45V 100mA

BC547C NPN 45V 100mA

BC548B NPN 30V 100mA

BC548C NPN 30V 100mA

BC549C NPN 30V 100mA

BC550B, NPN 45V 100mA

BC550B 50ks, BC550C 10ks

BC556 = 2SA844E PNP 80V 100mA

BC556A,B PNP 80V 100mA

BC556A 50ks, BC556B 50ks

BC557A PNP 45V 100mA

BC557B PNP 45V 100mA

BC557C PNP 45V 100mA

BC559C PNP 30V 100mA

BC560B PNP 45V 100mA

BC560c NPN 0,1A bipolární