-
IRF640 N-FET 200V 18A 125W
Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 200V, 18A, 125W, TO220 IRF640PBF
34,00 Kč -
BUT11AF / MJF18004 NPN 1000/450V 5A 20W 2MHz TO220
NPN 1000/450V 5A 20W 2MHz
34,00 Kč -
34,00 Kč
-
34,00 Kč
-
34,00 Kč
-
TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220TIP147T - Bipolární (BJT) , ,hFE
ilustrační foto
34,00 Kč -
34,00 Kč
-
BUZ71A 60V/16A 45W TO220 13A, 50V, 0.120 Ohm, N-channel Power MOSFET
BUA10A, BUZ7, IRF53, IRF533, IRF543, RCA9212A, ECG66
34,00 Kč -
34,00 Kč
-
KT611G 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE NPN silikon- video zes.Gold vývody ilustr foto
KT611G, 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE: Pc: Ic: Ft: CC:0. TJ: Caixa Pinos 2N3114S, Pinos-Pinout 2N3114S. 2N3115 NPN Silicio Chaveamento, BSS26 .2N3114S NPN Silicio Saida de video, BF257...259, BF657...659, BFR57...59
34,00 Kč -
34,00 Kč
-
IRBC30 tranzistor ekv 2SK2750 Mosfet N kanál 600V 3,5A
2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W,1.7R TO220F IRFB30C
34,00 Kč -
ADP671 GE výkonový tranzist -spínač ekv=TE71 PNP
Unitra-CEMI ADP671 Materiál tranzistoru: Ge Polarita: PNP Maximální ztrátový výkon kolektoru (Pc): 10 W Maximální napětí kolektoru-základna |Vcb|: 20 V Maximální základní napětí emitoru |Veb|: 10 V Maximální proud kolektoru |Ic max|: 1,5 A Max. Provozní teplota spoje (Tj): 90 °C ...
34,00 Kč -
35,00 Kč
-
35,00 Kč
-
IRFZ44 N-FET 60V/46A 150W 28mOhm TO220 =RFP50N06
Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 50 A, Vds = 60 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 50 A Uds = 60 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220 IRFZ44 N-MOSFET 55V,49A,94W,0.017R TO220N-MOSFET 55V, 49A, 94W, 0.017R...
35,00 Kč -
BUZ50A N-kanál 1000V 2,5A /2SK1119/ BUZ77A mosfet
ilustrační foto
35,00 Kč -
35,00 Kč
