2SK1767 NPN 600V 3,5A 40W

2SK2038 N-FET 800V 5A Toschiba

2SK2545

2SK2750 tranzistorekv IRFB30C Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W, TO220F IRFB30C

2SK301

2SK30A N-FET 50V 10mA 0,1W

2SK3111 mosfet N-kanál 200V 65W

2SK3566 (STA4,Q,M) - Výkonový MOSFET, N Kanál, 2.5 A, 900 V, 6.4 ohm, 10 V, 4 V

ilustrační foto

2SK727

CA3083 Bipolar (BJT) Transistor 5x NPN 15V 100mA 450MHz 500mW 16-PDIP

IRBC30 tranzistor ekv 2SK2750 Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W,1.7R TO220F IRFB30C

SC237e-RFT 45V 0,1A NPN ekv,: BC237,KC237,KC147

SC237E-BC237 KC147 Kategorie Tranzistory > Bipolární > NPN RFT Puzdro TO-92S Parametry IC = 100 mA, PD = 200 mW, fT = 170 MHz Datasheet Link

tranzistor 2N3055 ekv MJ2955 NPN 15A 100V

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 15 A, Pd = 115 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 15 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 115 W, h21E = 20..70, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO3

trnazist 2SA1390 PNP 300mW 0,5A 35V Hitaschi ,bipolární

Part No. 2SA1390 Maker HITACHI [Hitachi Semiconductor] Collector to base voltage VCBO –35 V Collector to emitter voltage VCEO –35 V Emitter to base voltage VEBO –4 V Collector current IC –500 mA Collector power dissipation PC 300 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg –55...

BC107A npn 45V 0,2A bipolární

NPN Polarizace bipolární Napětí kolektor-emitor 45V proud kolektoru 0.2A Ztrátový výkon0.2/0.75W pouzdro TO18 montáž THT F 150Mhz bipolární proud kolektoru 0,2A NPN pouzdro t018 Zesílení tranzistoru 110...220 Šumové číslo 10dB

BC107B NPN; bipolární; 45V; 0,2A; 0,2/0,75W; TO18; 10dB

BC108A BC108C (4ks) 25V 0,2A NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors. uveďte do poznámky typ

BC108A 50ks, BC108C 4ks BC108 jsou 25 V křemíkové NPN bipolární planární epitaxiální tranzistory pro všeobecné zesilovače nebo spínače.

BC109C Bipolární (BJT) ranzistor, Nízký Šum, NPN, 25 V, 200 mA, 600 mW, TO-18,

v PROEDENÍ i BC109B 60ks, uveďte event do pozncena 17,-Kč BCP 109C ,B NPN silicon planar-epitaxial transistor cena 19,-Kč BCP 108C