KT119 Tyristor 750V 3A

KT705 Tyristor 400V 15A Tesla, pro spínací obvody

TESLA - pro spínací a řídicí obvody -

dioda OA9 Tesla se zlatým hrotem - If 120 mA, Ur 25 V AU vývody sklad 2ks

diody se zlatým hrotem 4GAZ51 párované - skladem , viz 4GAZ51

BUZ71A 60V/16A 45W TO220 13A, 50V, 0.120 Ohm, N-channel Power MOSFET

BUA10A, BUZ7, IRF53, IRF533, IRF543, RCA9212A, ECG66

BUX80 RFT Bipolární tranz NPN, THT, 400V, 10A, 100W, TO3 BUX80

KT611G 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE NPN silikon- video zes.Gold vývody ilustr foto

KT611G, 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE: Pc: Ic: Ft: CC:0. TJ: Caixa Pinos 2N3114S, Pinos-Pinout 2N3114S. 2N3115 NPN Silicio Chaveamento, BSS26 .2N3114S NPN Silicio Saida de video, BF257...259, BF657...659, BFR57...59

104NU71 NPN Tesla 40V 250mA 250mA be 45-200 sklad 1ks

IRBC30 tranzistor ekv 2SK2750 Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W,1.7R TO220F IRFB30C

ADP671 GE výkonový tranzist -spínač ekv=TE71 PNP

Unitra-CEMI ADP671 Materiál tranzistoru: Ge Polarita: PNP Maximální ztrátový výkon kolektoru (Pc): 10 W Maximální napětí kolektoru-základna |Vcb|: 20 V Maximální základní napětí emitoru |Veb|: 10 V Maximální proud kolektoru |Ic max|: 1,5 A Max. Provozní teplota spoje (Tj): 90 °C ...

BD354 NPN 60V 3A 12,5W TO-66

IRF530 100V 16A N-Mosfet

SFH206 foto dioda SFH 206 Silizium-PIN- Silicon-PIN-Photodiode SFH 205 SFH 206

fotodioda IR PIN Průměr diody LED 5mm Vlnová délka v bodu max.citlivosti 850nm Délka vlny λd 400-1100nm Zorný úhel 60° Max. závěrné napětí 32V Doba přítahu 0.02µs Doba odpadu 0.02µs Fotocitlivá plocha 7.02mm2 Montáž THT Proud za tmy 2nA ...

IRFZ44 N-FET 60V/46A 150W 28mOhm TO220 =RFP50N06

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 50 A, Vds = 60 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 50 A Uds = 60 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220 IRFZ44 N-MOSFET 55V,49A,94W,0.017R TO220N-MOSFET 55V, 49A, 94W, 0.017R...

TIC225M Triak

BUZ50A N-kanál 1000V 2,5A /2SK1119/ BUZ77A mosfet

ilustrační foto

KT809A 2t809A npn 400V 3A USSR

KT803A/2T803A NPN 60V 6A USSR BDY23

MBR2560 schottky dioda 2x15A 60V

BD250C PNP 100V 25A 125W SOT93

MBR2560CT 2x15A 60V Schotky dioda

TO220

BU205

BU207

3WK16323

MJE18004 NPN S-P/SMPS 450V, 5A, 100W, >13MHz TO220 tranzistor

MBR2545 schottky dioda 2x25A 45V

Dioda usměrňovací Schottky; 45V; 2x 25A; TO220AB; THT. Výhody Vysoký impulsní proud Nízký úbytek napětí Dvě diody v jednom pouzdru

AC188 /GC512/ 32V 1A doprodáno

BY 229//800 (7A, 800V)

2SC4159 NPN 180V 1,5A 15W TO220ML

BD651 NPN 120V 8A 62,5W TO220 BD645, BD647, BD649, BD651 NPN silikon power Darlington

ekv.ještě BDX53c

BTA12/600B Triak 600V 12A Typové označení BTA-řada BTA má kovové pouzdro izolováno od všech elektrod

Typové označení BTA a BTB se liší pouze tím, že typová řada BTA má kovové pouzdro izolováno od všech elektrod a typová řada BTB má na kovovém pouzdře vyveden střední pin což je A2 parametry BTB12/600 Triak 600V/12A. Uz 600V If 12A Ifsm 120A Igt @ 25°C 50mA Provozní teplota -40..125°C Pouzdro...

2SD1858 NPN 40V 1A

NPN NF/E 50V/ 1A/ 1W/ 150MHz SD73 B C E 41c

IRF9530 Mosfet PNP 100V 12A TO220

KZ751 58-66V dioda zenerova

KZ752 125mA 64-72V 10W dioda zenerova

KZ754 77-88V 10W dioda zenerova

KY712 10A, 360V Tesla

ekv KYY72- vyráběno pro vojenské zakázky, již nedostupné poslední kusy na trhu KY712